IRF7306TRPBF vs IRF7325PBF

Это подробное сравнение IRF7306TRPBF и IRF7325PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7306TRPBF

+БОМ

9061 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7325PBF

+БОМ

3332 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 12V 7.8A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Obsolete
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 12V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 7.8A
RdsOn(Max)@IdVgs 100mOhm @ 1.8A, 10V 24mOhm @ 7.8A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 900mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 25nC @ 10V 33nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 440pF @ 25V 2020pF @ 10V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7306TRPBF IRF7325PBF

+БОМ RFQ