IRF7341PBF vs IRF7306TRPBF
Это подробное сравнение IRF7306TRPBF и IRF7341PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание
MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC
Supplier
Infineon Technologies
Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Discontinued at Digi-Key
FETType
2 P-Channel (Dual)
2 N-Channel (Dual)
FETFeature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
55V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
3.6A
4.7A
RdsOn(Max)@IdVgs
100mOhm @ 1.8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
25nC @ 10V
36nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
440pF @ 25V
740pF @ 25V
Power-Max
2W
2W
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
