IRF7309TRPBF vs IRF7307TRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7307TRPBF и IRF7309TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7307TRPBF

+БОМ

3667 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7309TRPBF

+БОМ

5390 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 4A/3A 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Last Time Buy Active
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.2A, 4.3A 4A, 3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 50mOhm @ 2.6A, 4.5V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 20nC @ 4.5V 25nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 660pF @ 15V 520pF @ 15V
Power - Max 2W 1.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7307TRPBF IRF7309TRPBF

+БОМ RFQ