IRF7313TRPBF vs IRF7341QTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7313TRPBF и IRF7341QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7313TRPBF

+БОМ

4931 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7341QTRPBF

+БОМ

6461 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Standard Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.5A 5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 25V
Power - Max 2W 2.4W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7313TRPBF IRF7341QTRPBF

+БОМ RFQ