IRF7314TRPBF vs IRF7306QTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7314TRPBF и IRF7306QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7314TRPBF

+БОМ

2624 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7306QTRPBF

+БОМ

2711 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A 3.6A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 780pF @ 15V 440pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7314TRPBF IRF7306QTRPBF

+БОМ RFQ