IRF7314TRPBF vs IRF7379QTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7314TRPBF и IRF7379QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7314TRPBF

+БОМ

2624 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7379QTRPBF

+БОМ

8064 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 20V 5.3A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 5.3A 5.8A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 58mOhm @ 2.9A, 4.5V 45mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 29nC @ 4.5V 25nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 780pF @ 15V 520pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7314TRPBF IRF7379QTRPBF

+БОМ RFQ