IRF7317TRPBF vs IRF7304QTRPBF

Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7304QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7317TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 2170 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7304QTRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 9130 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7317TRPBF	IRF7304QTRPBF
Supplier	-	Infineon Technologies
Part Status	Active	Obsolete
FET Type	N and P-Channel	2 P-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	20V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	6.6A, 5.3A	4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs	29mOhm @ 6A, 4.5V	90mOhm @ 2.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	700mV @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	27nC @ 4.5V	22nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	900pF @ 15V	610pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	HEXFET®	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

Compare RFQ