IRF7317TRPBF vs IRF7307QTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7307QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7317TRPBF

+БОМ

2170 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7307QTRPBF

+БОМ

4136 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 5.2A/4.3A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.6A, 5.3A 5.2A, 4.3A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 15V 660pF @ 15V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7317TRPBF IRF7307QTRPBF

+БОМ RFQ