IRF7317TRPBF vs IRF7319PBF

Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7319PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7317TRPBF

+БОМ

2170 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7319PBF

+БОМ

5795 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8SOIC
Supplier - Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType N and P-Channel N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 20V 30V
RdsOn(Max)@IdVgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 700mV @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 27nC @ 4.5V 33nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 900pF @ 15V 650pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.6A, 5.3A -
Модель сравнения : IRF7317TRPBF IRF7319PBF

+БОМ RFQ