IRF7317TRPBF vs IRF7329TR Сравнение

Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7329TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7317TRPBF

+БОМ

2170 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7329TR

+БОМ

6789 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC MOSFET 2P-CH 12V 9.2A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Obsolete
FET Type N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 20V 12V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 6.6A, 5.3A 9.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 6A, 4.5V 17mOhm @ 9.2A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id 700mV @ 250µA 900mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 27nC @ 4.5V 57nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 900pF @ 15V 3450pF @ 10V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7317TRPBF IRF7329TR

+БОМ RFQ