IRF7317TRPBF vs IRF7341QTRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7317TRPBF и IRF7341QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
SOIC-8
Описание
MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
MOSFET 2N-CH 55V 5.1A 8-SOIC
Supplier
-
Infineon Technologies
Part Status
Active
Obsolete
FET Type
N and P-Channel
2 N-Channel (Dual)
FET Feature
Logic Level Gate
Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)
20V
55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
6.6A, 5.3A
5.1A
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 6A, 4.5V
50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
700mV @ 250µA
1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
27nC @ 4.5V
44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
900pF @ 15V
780pF @ 25V
Power - Max
2W
2.4W
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Series
HEXFET®
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
