IRF7317TRPBF vs IRF7342PBF

Это подробное сравнение IRF7342PBF и IRF7317TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7342PBF

+БОМ

2889 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7317TRPBF

+БОМ

2170 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 20V 8-SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Active
FETType 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 6.6A, 5.3A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 27nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 900pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7342PBF IRF7317TRPBF

+БОМ RFQ