IRF7328TRPBF vs IRF7313QTRPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRF7328TRPBF и IRF7313QTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7328TRPBF

+БОМ

3724 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7313QTRPBF

+БОМ

7808 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 30V 8A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Active Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 6.5A
Rds On(Max) @ Id Vgs 21mOhm @ 8A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 2.5V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 78nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 2675pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Series HEXFET® -
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -
Модель сравнения : IRF7328TRPBF IRF7313QTRPBF

+БОМ RFQ