IRF7341GTRPBF vs IRF7328PBF

Это подробное сравнение IRF7341GTRPBF и IRF7328PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7341GTRPBF

+БОМ

3946 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7328PBF

+БОМ

5117 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO-8 SOIC-8
Описание MOSFET N-CH 55V 5.1A MOSFET 2P-CH 30V 8A 8SO
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Discontinued at Digi-Key
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Standard Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 5.1A 8A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 5.1A, 10V 21mOhm @ 8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA (Min) 2.5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44nC @ 10V 78nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 780pF @ 25V 2675pF @ 25V
Power-Max 2.4W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7341GTRPBF IRF7328PBF

+БОМ RFQ