IRF7389TRPBF vs IRF7341GTRPBF

Это подробное сравнение IRF7389TRPBF и IRF7341GTRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7389TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2749 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7341GTRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3946 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7389TRPBF IRF7341GTRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N and P-Channel 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Standard
Drain to Source Voltage (Vdss) 30V 55V
Rds On(Max) @ Id Vgs 29mOhm @ 5.8A, 10V 50mOhm @ 5.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA (Min)
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 33nC @ 10V 44nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 650pF @ 25V 780pF @ 25V
Power - Max 2.5W 2.4W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 5.1A
Compare RFQ