IRF7341PBF vs IRF7306TR

Это подробное сравнение IRF7341PBF и IRF7306TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7341PBF

+БОМ

4680 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7306TR

+БОМ

9561 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание MOSFET 2N-CH 55V 4.7A 8-SOIC MOSFET 2P-CH 30V 3.6A 8-SOIC
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Obsolete
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 4.7A 3.6A
RdsOn(Max)@IdVgs 50mOhm @ 4.7A, 10V 100mOhm @ 1.8A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 36nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 740pF @ 25V 440pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7341PBF IRF7306TR

+БОМ RFQ