IRF7351TRPBF vs IRF7341TRPBF

Это подробное сравнение IRF7351TRPBF и IRF7341TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7351TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
1607 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ
Part B

IRF7341TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4836 ПКС
Package
SO-8
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRF7351TRPBF IRF7341TRPBF
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 60V 55V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 8A 4.7A
Rds On(Max) @ Id Vgs 17.8mOhm @ 8A, 10V 50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 50µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 36nC @ 10V 36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 1330pF @ 30V 740pF @ 25V
Power - Max 2W 2W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Compare RFQ