IRF7342PBF vs IRF7303PBF

Это подробное сравнение IRF7342PBF и IRF7303PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7342PBF

+БОМ

2889 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7303PBF

+БОМ

3102 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 30V 4.9A 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Discontinued at Digi-Key
FETType 2 P-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Standard
DraintoSourceVoltage(Vdss) 55V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.4A 4.9A
RdsOn(Max)@IdVgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 50mOhm @ 2.4A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 38nC @ 10V 25nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 690pF @ 25V 520pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7342PBF IRF7303PBF

+БОМ RFQ