IRF7342PBF vs IRF7389TR Сравнение

Это подробное сравнение IRF7342PBF и IRF7389TR предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7342PBF

+БОМ

2889 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7389TR

+БОМ

3343 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SOIC-8 SOIC-8
Описание MOSFET 2P-CH 55V 3.4A 8-SOIC MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
Supplier - Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Discontinued at Digi-Key Obsolete
FET Type 2 P-Channel (Dual) N and P-Channel
FET Feature Logic Level Gate Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss) 55V 30V
Rds On(Max) @ Id Vgs 105mOhm @ 3.4A, 10V 29mOhm @ 5.8A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 1V @ 250µA 1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 38nC @ 10V 33nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 690pF @ 25V 650pF @ 25V
Power - Max 2W 2.5W
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Surface Mount Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 3.4A -
Модель сравнения : IRF7342PBF IRF7389TR

+БОМ RFQ