IRF7343TRPBF vs IRF7389TRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7389TRPBF и IRF7343TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SO-8
SO-8
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 8-SOIC
MOSFET N/P-CH 55V 8-SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N and P-Channel
N and P-Channel
FET Feature
Logic Level Gate
Standard
Drain to Source Voltage (Vdss)
30V
55V
Rds On(Max) @ Id Vgs
29mOhm @ 5.8A, 10V
50mOhm @ 4.7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
1V @ 250µA
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
33nC @ 10V
36nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
650pF @ 25V
740pF @ 25V
Power - Max
2.5W
2W
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
4.7A, 3.4A
