IRF7380PBF vs IRF7301TRPBF

Это подробное сравнение IRF7380PBF и IRF7301TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF7380PBF

+БОМ

3152 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF7301TRPBF

+БОМ

6240 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width) 8-SOIC (0.154, 3.90mm Width)
Описание MOSFET 2N-CH 80V 3.6A 8-SOIC MOSFET 2N-CH 20V 5.2A 8-SOIC
Supplier Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC Infineon Technologies
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Discontinued at Digi-Key Last Time Buy
FETType 2 N-Channel (Dual) 2 N-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 80V 20V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 3.6A 5.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 73mOhm @ 2.2A, 10V 50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 700mV @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 23nC @ 10V 20nC @ 4.5V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 660pF @ 25V 660pF @ 15V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF7380PBF IRF7301TRPBF

+БОМ RFQ