IRF7380PBF vs IRF7301TRPBF

Это подробное сравнение IRF7380PBF и IRF7301TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7380PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3152 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRF7301TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 6240 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7380PBF	IRF7301TRPBF
Supplier	Infineon Technologies,Rochester Electronics, LLC	Infineon Technologies
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Discontinued at Digi-Key	Last Time Buy
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Logic Level Gate	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	80V	20V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	3.6A	5.2A
Rds On(Max) @ Id Vgs	73mOhm @ 2.2A, 10V	50mOhm @ 2.6A, 4.5V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	700mV @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	23nC @ 10V	20nC @ 4.5V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	660pF @ 25V	660pF @ 15V
Power - Max	2W	2W
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ