IRF7478TRPBF vs IRF7473TRPBF

Это подробное сравнение IRF7478TRPBF и IRF7473TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7478TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4717 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRF7473TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3489 ПКС
Package: SOIC-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7478TRPBF	IRF7473TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	7A (Ta)	6.9A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	4.5V, 10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	26mOhm @ 4.2A, 10V	26mOhm @ 4.1A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3V @ 250µA	5.5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	31 nC @ 4.5 V	61 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1740 pF @ 25 V	3180 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ