IRF7853TRPBF vs IRF7854TRPBF

Это подробное сравнение IRF7853TRPBF и IRF7854TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRF7853TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 4594 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Part B

IRF7854TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 6096 ПКС
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRF7853TRPBF	IRF7854TRPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
Base Product Number	IRF7853	IRF7854
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	100 V	80 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C	8.3A (Ta)	10A (Ta)
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)	10V	10V
Rds On (Max) @ Id, Vgs	18mOhm @ 8.3A, 10V	13.4mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th) (Max) @ Id	4.9V @ 100µA	4.9V @ 100µA
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs	39 nC @ 10 V	41 nC @ 10 V
Vgs (Max)	±20V	±20V
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds	1640 pF @ 25 V	1620 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	2.5W (Ta)	2.5W (Ta)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Packaging	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)	Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)

Compare RFQ