IRF7821TRPBF vs IRF7853TRPBF Сравнение
Это подробное сравнение IRF7853TRPBF и IRF7821TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SOIC-8
Описание
MOSFET N-CH 100V 8.3A 8SO
MOSFET N-CH 30V 13.6A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
Base Product Number
IRF7853
-
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
100 V
30 V
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
8.3A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
18mOhm @ 8.3A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
4.9V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
39 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
1640 pF @ 25 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
2.5W (Ta)
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 155°C (TJ)
Mounting Type
Surface Mount
Surface Mount
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
-
13.6A (Ta)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
-
4.5V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
-
9.1mOhm @ 13A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
-
1V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
-
14 nC @ 4.5 V
Vgs(Max)
-
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
-
1010 pF @ 15 V
