IRF9358TRPBF vs IRF9310TRPBF
Это подробное сравнение IRF9310TRPBF и IRF9358TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SO-8
Описание
MOSFET P-CH 30V 20A 8SO
MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Obsolete
-
Base Product Number
IRF9310
-
FET Type
P-Channel
-
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
-
Drain to Source Voltage (Vdss)
30 V
-
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C
20A (Ta)
-
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On)
4.5V, 10V
-
Rds On (Max) @ Id, Vgs
4.6mOhm @ 20A, 10V
-
Vgs(th) (Max) @ Id
2.4V @ 100µA
-
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs
165 nC @ 10 V
-
Vgs (Max)
±20V
-
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds
5250 pF @ 15 V
-
Power Dissipation (Max)
2.5W (Ta)
-
Operating Temperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-
Mounting Type
Surface Mount
-
Packaging
Cut Tape (CT), Tape & Reel (TR)
-
ProductStatus
-
Active
FETType
-
2 P-Channel (Dual)
FETFeature
-
Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss)
-
30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
-
9.2A
RdsOn(Max)@IdVgs
-
16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id
-
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
-
38nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
-
1740pF @ 25V
Power-Max
-
2W
OperatingTemperature
-
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
-
Surface Mount
