IRF9358TRPBF vs IRF9389TRPBF

Это подробное сравнение IRF9389TRPBF и IRF9358TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9389TRPBF

+БОМ

2112 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRF9358TRPBF

+БОМ

6157 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет SO-8 SO-8
Описание MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO MOSFET 2P-CH 30V 9.2A 8SOIC
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N and P-Channel 2 P-Channel (Dual)
FETFeature Logic Level Gate Logic Level Gate
DraintoSourceVoltage(Vdss) 30V 30V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.8A, 4.6A 9.2A
RdsOn(Max)@IdVgs 27mOhm @ 6.8A, 10V 16.3mOhm @ 9.2A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 2.3V @ 10µA 2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 14nC @ 10V 38nC @ 10V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 398pF @ 15V 1740pF @ 25V
Power-Max 2W 2W
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Surface Mount
Модель сравнения : IRF9389TRPBF IRF9358TRPBF

+БОМ RFQ