IRF9389TRPBF vs IRF9388TRPBF
Это подробное сравнение IRF9389TRPBF и IRF9388TRPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
SO-8
SO-8
Описание
MOSFET N/P-CH 30V 6.8A/4.6A 8-SO
MOSFET P-CH 30V 12A 8SO
Series
HEXFET®
HEXFET®
ProductStatus
Active
Active
FETType
N and P-Channel
P-Channel
Technology
-
MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss)
30V
30 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C
6.8A, 4.6A
12A (Ta)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn)
-
10V, 20V
RdsOn(Max)@IdVgs
27mOhm @ 6.8A, 10V
8.5mOhm @ 12A, 20V
Vgs(th)(Max)@Id
2.3V @ 10µA
2.4V @ 25µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs
14nC @ 10V
52 nC @ 10 V
Vgs(Max)
-
±25V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds
398pF @ 15V
1680 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max)
-
2.5W (Ta)
OperatingTemperature
-55°C ~ 150°C (TJ)
-55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType
Surface Mount
Surface Mount
FETFeature
Logic Level Gate
-
Power-Max
2W
-
