IRF9630PBF vs IRF9640S

Это подробное сравнение IRF9640S и IRF9630PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9640S

+БОМ

4570 ПКС | Vishay Силиконикс
IRF9630PBF

+БОМ

5457 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет TO-263-3 TO-220AB-3
Описание MOSFET P-CH 200V 11A D2PAK MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB
ProductStatus Obsolete Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 11A (Tc) 6.5A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 500mOhm @ 6.6A, 10V 800mOhm @ 3.9A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 44 nC @ 10 V 29 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 1200 pF @ 25 V 700 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 3W (Ta), 125W (Tc) 74W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Surface Mount Through Hole
Модель сравнения : IRF9640S IRF9630PBF

+БОМ RFQ