IRF9640PBF vs IRF9630PBF

Это подробное сравнение IRF9630PBF и IRF9640PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRF9630PBF

+БОМ

5457 ПКС | Vishay Силиконикс
IRF9640PBF

+БОМ

4502 ПКС | Vishay Силиконикс
Пакет TO-220AB-3 TO-220-3
Описание MOSFET P-CH 200V 6.5A TO220AB MOSFET P-CH 200V 11A TO220AB
ProductStatus Active Active
FETType P-Channel P-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 200 V 200 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 6.5A (Tc) 11A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 800mOhm @ 3.9A, 10V 500mOhm @ 6.6A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 4V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 29 nC @ 10 V 44 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 700 pF @ 25 V 1200 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) 74W (Tc) 125W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRF9630PBF IRF9640PBF

+БОМ RFQ