IRFB3077PBF vs IRFB38N20DPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFB3077PBF и IRFB38N20DPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB3077PBF

+БОМ

4658 ПКС | Международный исправитель
IRFB38N20DPBF

+БОМ

6086 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220 TO-220
Описание IRFB3077 - 12V-300V N-CHANNEL PO IRFB38N20 - 12V-300V N-CHANNEL P
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 3.3mOhm @ 75A, 10V 54mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 220 nC @ 10 V 91 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9400 pF @ 50 V 2900 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 3.8W (Ta), 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB3077PBF IRFB38N20DPBF

+БОМ RFQ