IRFB3307ZPBF vs IRFB3306PBF

Это подробное сравнение IRFB3307ZPBF и IRFB3306PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3307ZPBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
2255 ПКС
Package
TO-220AB
Series
Специализированные ИК
+БОМ RFQ
Part B

IRFB3306PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
3253 ПКС
Package
TO-220-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3307ZPBF IRFB3306PBF
Part Status Active Active
Series - HEXFET®
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 4.2mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 120 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 4520 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 230W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
Compare RFQ