IRFB3206PBF vs IRFB3307ZPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFB3307ZPBF и IRFB3206PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB3307ZPBF

+БОМ

2255 ПКС | Международный исправитель
IRFB3206PBF

+БОМ

6622 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220AB TO-220-3
Описание IRFB3307 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
Part Status Active Active
Series - HEXFET®
FET Type - N-Channel
Technology - MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) - 60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 3mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 170 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 6540 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) - 300W (Tc)
Operating Temperature - -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type - Through Hole
Модель сравнения : IRFB3307ZPBF IRFB3206PBF

+БОМ RFQ