IRFB3207PBF vs IRFB3607PBF

Это подробное сравнение IRFB3207PBF и IRFB3607PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB3207PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
2526 ПКС
Package
TO-220-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFB3607PBF

Международный исправитель

Lifecycle
Active
Stock
3175 ПКС
Package
TO-220
Series
Специализированные ИК
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFB3207PBF IRFB3607PBF
Series HEXFET® -
Part Status Active Active
FET Type N-Channel -
Technology MOSFET (Metal Oxide) -
Drain to Source Voltage (Vdss) 75 V -
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 170A (Tc) -
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V -
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V -
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA -
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 260 nC @ 10 V -
Vgs(Max) ±20V -
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 7600 pF @ 50 V -
Power Dissipation (Max) 330W (Tc) -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Mounting Type Through Hole -
Compare RFQ