IRFB3806PBF vs IRFB3207PBF Сравнение
Это подробное сравнение IRFB3207PBF и IRFB3806PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
Пакет
TO-220-3
TO-220-3
Описание
MOSFET N-CH 75V 170A TO220AB
MOSFET N-CH 60V 43A TO220AB
Series
HEXFET®
HEXFET®
Part Status
Active
Active
FET Type
N-Channel
N-Channel
Technology
MOSFET (Metal Oxide)
MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)
75 V
60 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C
170A (Tc)
43A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)
10V
10V
Rds On(Max) @ Id Vgs
4.5mOhm @ 75A, 10V
15.8mOhm @ 25A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id
4V @ 250µA
4V @ 50µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs
260 nC @ 10 V
30 nC @ 10 V
Vgs(Max)
±20V
±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds
7600 pF @ 50 V
1150 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)
330W (Tc)
71W (Tc)
Operating Temperature
-55°C ~ 175°C (TJ)
-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type
Through Hole
Through Hole
