IRFB4615PBF vs IRFB4110PBF

Это подробное сравнение IRFB4110PBF и IRFB4615PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB4110PBF

+БОМ

7679 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFB4615PBF

+БОМ

7060 ПКС | Международный исправитель
Пакет TO220-3 TO-220-3
Описание MOSFET N-CH 100V 120A TO220AB IRFB4615 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus Active Active
FETType N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) 100 V 150 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C 120A (Tc) 35A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) 10V 10V
RdsOn(Max)@IdVgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 39mOhm @ 21A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id 4V @ 250µA 5V @ 100µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs 210 nC @ 10 V 26 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds 9620 pF @ 50 V 1750 pF @ 50 V
PowerDissipation(Max) 370W (Tc) 144W (Tc)
OperatingTemperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
MountingType Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB4110PBF IRFB4615PBF

+БОМ RFQ