IRFB7545PBF vs IRFB7430PBF

Это подробное сравнение IRFB7545PBF и IRFB7430PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFB7545PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5827 ПКС
Package: TO-220-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFB7430PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5760 ПКС
Package: TO-220
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFB7545PBF	IRFB7430PBF
Series	HEXFET®, StrongIRFET™	HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	60 V	40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	95A (Tc)	195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	6V, 10V	6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 57A, 10V	1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	3.7V @ 100µA	3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	110 nC @ 10 V	460 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4010 pF @ 25 V	14240 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	125W (Tc)	375W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ