IRFB7545PBF vs IRFB7430PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFB7545PBF и IRFB7430PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFB7545PBF

+БОМ

5827 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFB7430PBF

+БОМ

5760 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-220-3 TO-220
Описание MOSFET N-CH 60V 95A TO220 MOSFET N CH 40V 195A TO220
Series HEXFET®, StrongIRFET™ HEXFET®, StrongIRFET™
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 60 V 40 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 95A (Tc) 195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 6V, 10V 6V, 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 5.9mOhm @ 57A, 10V 1.3mOhm @ 100A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 3.7V @ 100µA 3.9V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 110 nC @ 10 V 460 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4010 pF @ 25 V 14240 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 125W (Tc) 375W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFB7545PBF IRFB7430PBF

+БОМ RFQ