IRFHM792TRPBF vs IRFHM8363TR2PBF

Это подробное сравнение IRFHM792TRPBF и IRFHM8363TR2PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFHM792TRPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 20 ПКС
Package: VDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Part B

IRFHM8363TR2PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5878 ПКС
Package: VDFN-8
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Массивы

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFHM792TRPBF	IRFHM8363TR2PBF
Supplier	Infineon Technologies	Infineon Technologies
Part Status	Last Time Buy	Obsolete
FET Type	2 N-Channel (Dual)	2 N-Channel (Dual)
FET Feature	Standard	Logic Level Gate
Drain to Source Voltage (Vdss)	100V	30V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	2.3A	11A
Rds On(Max) @ Id Vgs	195mOhm @ 2.9A, 10V	14.9mOhm @ 10A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 10µA	2.35V @ 25µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	6.3nC @ 10V	15nC @ 10V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	251pF @ 25V	1165pF @ 10V
Power - Max	2.3W	2.7W
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount
Series	HEXFET®	-
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-

Compare RFQ