IRFP260MPBF vs IRFP27N60KPBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFP27N60KPBF и IRFP260MPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFP27N60KPBF

+БОМ

7102 ПКС | Vishay Силиконикс
IRFP260MPBF

+БОМ

5964 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-247-3 TO-247
Описание MOSFET N-CH 600V 27A TO247-3 MOSFET N-CH 200V 50A TO247AC
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 600 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 27A (Tc) 50A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 220mOhm @ 16A, 10V 40mOhm @ 28A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 5V @ 250µA 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 180 nC @ 10 V 234 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 4660 pF @ 25 V 4057 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 500W (Tc) 300W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Модель сравнения : IRFP27N60KPBF IRFP260MPBF

+БОМ RFQ