IRFP27N60KPBF vs IRFP264PBF

Это подробное сравнение IRFP27N60KPBF и IRFP264PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP27N60KPBF

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7102 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFP264PBF

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 2754 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP27N60KPBF	IRFP264PBF
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	600 V	250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	27A (Tc)	38A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	220mOhm @ 16A, 10V	75mOhm @ 23A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	5V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	180 nC @ 10 V	210 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	4660 pF @ 25 V	5400 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	500W (Tc)	280W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ