IRFP4110PBF vs IRFP4668PBF Сравнение

Это подробное сравнение IRFP4110PBF и IRFP4668PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFP4110PBF

+БОМ

4469 ПКС | Международный исправитель
IRFP4668PBF

+БОМ

6039 ПКС | компанией Infineon Technologies
Пакет TO-247 TO-247
Описание IRFP4110 - 12V-300V N-CHANNEL PO MOSFET N-CH 200V 130A TO247AC
Series HEXFET® HEXFET®
Part Status Active Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 100 V 200 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 120A (Tc) 130A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 4.5mOhm @ 75A, 10V 9.7mOhm @ 81A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 210 nC @ 10 V 241 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±20V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 9620 pF @ 50 V 10720 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 370W (Tc) 520W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Модель сравнения : IRFP4110PBF IRFP4668PBF

+БОМ RFQ