IRFP460A vs IRFP4229PBF

Это подробное сравнение IRFP460A и IRFP4229PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460A

Vishay Силиконикс

Lifecycle: Active
Stock: 7403 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFP4229PBF

Международный исправитель

Lifecycle: Active
Stock: 2338 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP460A	IRFP4229PBF
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	20A (Tc)	44A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	270mOhm @ 12A, 10V	46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	105 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	3100 pF @ 25 V	4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	280W (Tc)	310W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 150°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole
Series	-	HEXFET®

Compare RFQ