IRFP450 vs IRFP4310ZPBF

Это подробное сравнение IRFP450 и IRFP4310ZPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP450

STМикроэлектроника

Lifecycle: Active
Stock: 1863 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFP4310ZPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 3590 ПКС
Package: TO-247-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP450	IRFP4310ZPBF
Series	PowerMESH™ II	HEXFET®
Part Status	Obsolete	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	500 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	14A (Tc)	120A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	380mOhm @ 7A, 10V	6mOhm @ 75A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	4V @ 250µA	4V @ 150µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	90 nC @ 10 V	170 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	2000 pF @ 25 V	6860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	190W (Tc)	280W (Tc)
Operating Temperature	150°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ