IRFP4768PBF vs IRFP450

Это подробное сравнение IRFP4768PBF и IRFP450 предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4768PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7193 ПКС
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные FET, MOSFET
Part B

IRFP450

STМикроэлектроника

Lifecycle
Active
Stock
1863 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP4768PBF IRFP450
Series HEXFET® PowerMESH™ II
Part Status Last Time Buy Obsolete
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 250 V 500 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C - 14A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) - 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs - 380mOhm @ 7A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id - 4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs - 90 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds - 2000 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max) 520W (Tc) 190W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRFP4768 -
Current - Continuous Drain (Id) @ 25°C 93A (Tc) -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Vgs(th) (Max) @ Id 5V @ 250µA -
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs 270 nC @ 10 V -
Vgs (Max) ±20V -
Input Capacitance (Ciss) (Max) @ Vds 10880 pF @ 50 V -
Packaging Tube -