IRFP4568PBF vs IRFP4468PBF

Это подробное сравнение IRFP4568PBF и IRFP4468PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP4568PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 7712 ПКС
Package: TO-247
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFP4468PBF

Международный исправитель

Lifecycle: Active
Stock: 4924 ПКС
Package: TO-247
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFP4568PBF	IRFP4468PBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	100 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	171A (Tc)	195A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	5.9mOhm @ 103A, 10V	2.6mOhm @ 180A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	5V @ 250µA	4V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	227 nC @ 10 V	540 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±30V	±20V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	10470 pF @ 50 V	19860 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max)	517W (Tc)	520W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Through Hole	Through Hole

Compare RFQ