IRFP460A vs IRFP4568PBF

Это подробное сравнение IRFP460A и IRFP4568PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFP460A

Vishay Силиконикс

Lifecycle
Active
Stock
7403 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ
Part B

IRFP4568PBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7712 ПКС
Package
TO-247
Series
Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRFP460A IRFP4568PBF
Part Status Obsolete Active
FET Type N-Channel N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss) 500 V 150 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C 20A (Tc) 171A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On) 10V 10V
Rds On(Max) @ Id Vgs 270mOhm @ 12A, 10V 5.9mOhm @ 103A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id 4V @ 250µA 5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs 105 nC @ 10 V 227 nC @ 10 V
Vgs(Max) ±30V ±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds 3100 pF @ 25 V 10470 pF @ 50 V
Power Dissipation (Max) 280W (Tc) 517W (Tc)
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Series - HEXFET®
Compare RFQ