IRFP4768PBF vs IRFP4229PBF

Это подробное сравнение IRFP4768PBF и IRFP4229PBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения. Для получения дополнительной информации обратитесь к их техническим описаниям или свяжитесь с нашей командой продаж для получения помощи в выборе подходящего компонента для вашей конструкции.
Спецификации
IRFP4768PBF

+БОМ

7193 ПКС | компанией Infineon Technologies
IRFP4229PBF

+БОМ

2338 ПКС | Международный исправитель
Пакет TO-247-3
Описание MOSFET N-CH 250V 93A TO247AC IRFP4229 - 12V-300V N-CHANNEL PO
Series HEXFET® HEXFET®
ProductStatus - Active
FETType - N-Channel
Technology MOSFET (Metal Oxide) MOSFET (Metal Oxide)
DraintoSourceVoltage(Vdss) - 250 V
Current-ContinuousDrain(Id)@25°C - 44A (Tc)
DriveVoltage(MaxRdsOnMinRdsOn) - 10V
RdsOn(Max)@IdVgs - 46mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max)@Id - 5V @ 250µA
GateCharge(Qg)(Max)@Vgs - 110 nC @ 10 V
Vgs(Max) - ±30V
InputCapacitance(Ciss)(Max)@Vds - 4560 pF @ 25 V
PowerDissipation(Max) - 310W (Tc)
OperatingTemperature - -40°C ~ 175°C (TJ)
MountingType - Through Hole
Part Status Last Time Buy -
Base Product Number IRFP4768 -
Drive Voltage (Max Rds On, Min Rds On) 10V -
Rds On (Max) @ Id, Vgs 17.5mOhm @ 56A, 10V -
Packaging Tube -
Модель сравнения : IRFP4768PBF IRFP4229PBF

+БОМ RFQ