IRFS4615TRLPBF vs IRFS4229TRLPBF

Это подробное сравнение IRFS4615TRLPBF и IRFS4229TRLPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRFS4615TRLPBF

Международный исправитель

Lifecycle: Active
Stock: 2429 ПКС
Package: TO-263-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Part B

IRFS4229TRLPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle: Active
Stock: 5622 ПКС
Package: TO-263-3
Series: Транзисторы - FET, MOSFET - Одиночные

+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification	IRFS4615TRLPBF	IRFS4229TRLPBF
Series	HEXFET®	HEXFET®
Part Status	Active	Active
FET Type	N-Channel	N-Channel
Technology	MOSFET (Metal Oxide)	MOSFET (Metal Oxide)
Drain to Source Voltage (Vdss)	150 V	250 V
Current - Continuous Drain(Id) @ 25°C	33A (Tc)	45A (Tc)
Drive Voltage(Max Rds On Min Rds On)	10V	10V
Rds On(Max) @ Id Vgs	42mOhm @ 21A, 10V	48mOhm @ 26A, 10V
Vgs(th)(Max) @ Id	5V @ 100µA	5V @ 250µA
Gate Charge(Qg)(Max) @ Vgs	40 nC @ 10 V	110 nC @ 10 V
Vgs(Max)	±20V	±30V
Input Capacitance(Ciss)(Max) @ Vds	1750 pF @ 50 V	4560 pF @ 25 V
Power Dissipation (Max)	144W (Tc)	330W (Tc)
Operating Temperature	-55°C ~ 175°C (TJ)	-40°C ~ 175°C (TJ)
Mounting Type	Surface Mount	Surface Mount

Compare RFQ