IRG4PF50WPBF vs IRG4P254S

Это подробное сравнение IRG4PF50WPBF и IRG4P254S предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PF50WPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7350 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRG4P254S

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7109 ПКС
Package
TO-247-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PF50WPBF IRG4P254S
Supplier - Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 900 V 250 V
Current - Collector(Ic)(Max) 51 A 98 A
Current - Collector Pulsed(Icm) 204 A 196 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.7V @ 15V, 28A 1.5V @ 15V, 55A
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 190µJ (on), 1.06mJ (off) 380µJ (on), 3.5mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 200 nC
Td(on / off) @ 25°C 29ns/110ns 40ns/270ns
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 200V, 55A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Compare RFQ