IRG4PF50WDPBF vs IRG4PH50SPBF

Это подробное сравнение IRG4PF50WDPBF и IRG4PH50SPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRG4PF50WDPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
7688 ПКС
Series
Транзисторы - ИГБТ - Одиночные ИГБТ
+БОМ RFQ
Part B

IRG4PH50SPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
1810 ПКС
Package
TO-247AC
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRG4PF50WDPBF IRG4PH50SPBF
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown (Max) 900 V -
Current - Collector (Ic) (Max) 51 A -
Vce(on) (Max) @ Vge, Ic 2.7V @ 15V, 28A -
Power - Max 200 W 200 W
Switching Energy 2.63mJ (on), 1.34mJ (off) 1.8mJ (on), 19.6mJ (off)
Input Type Standard Standard
Gate Charge 160 nC 167 nC
Td (on / off) @ 25°C 71ns/150ns -
Test Condition 720V, 28A, 5Ohm, 15V 960V, 33A, 5Ohm, 15V
Operating Temperature -55°C ~ 150°C (TJ) -55°C ~ 150°C (TJ)
Mounting Type Through Hole Through Hole
Base Product Number IRG4PF50 -
Current - Collector Pulsed (Icm) 204 A -
Reverse Recovery Time (trr) 90 ns -
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) - 1200 V
Current - Collector(Ic)(Max) - 57 A
Current - Collector Pulsed(Icm) - 114 A
Vce(on)(Max) @ Vge Ic - 1.7V @ 15V, 33A
Td(on / off) @ 25°C - 32ns/845ns
Compare RFQ