IRGIB15B60KD1P vs IRGIB4615DPBF

Это подробное сравнение IRGIB15B60KD1P и IRGIB4615DPBF предоставляет ценную информацию об их технических характеристиках и ключевых особенностях. Мы подробно рассматриваем важные факторы, включая соответствие требованиям RoHS, статус REACH, серию, способ монтажа, тип корпуса и другие соответствующие характеристики. Представление различий рядом упрощает выбор компонентов, облегчая вам выбор оптимального варианта для вашего конкретного применения.

Technical review by ETEI Component Engineering Source: manufacturer documentation

Parts at a glance

Part A

IRGIB15B60KD1P

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
4013 ПКС
Package
TO-220-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ
Part B

IRGIB4615DPBF

компанией Infineon Technologies

Lifecycle
Active
Stock
8114 ПКС
Package
TO-220-3
Series
Транзисторы - ИГБТ - Single
+БОМ RFQ

Need help validating a replacement?

Send your BOM and application constraints for technical and sourcing review.

RFQ Contact technical support

Full specification comparison

Use manufacturer datasheets as the final authority.

Specification IRGIB15B60KD1P IRGIB4615DPBF
Supplier Rochester Electronics, LLC,Infineon Technologies Infineon Technologies
Part Status Obsolete Obsolete
Voltage - Collector Emitter Breakdown(Max) 600 V 600 V
Current - Collector(Ic)(Max) 19 A 15 A
Switching Energy 127µJ (on), 334µJ (off) 145µJ (on), 70µJ (off)
Input Type Standard Standard
Mounting Type Through Hole Through Hole
IGBT Type NPT -
Current - Collector Pulsed(Icm) 38 A -
Vce(on)(Max) @ Vge Ic 2.2V @ 15V, 15A -
Power - Max 52 W -
Gate Charge 56 nC -
Td(on / off) @ 25°C 30ns/173ns -
Test Condition 400V, 15A, 22Ohm, 15V -
Reverse Recovery Time (trr) 67 ns -
Operating Temperature -55°C ~ 175°C (TJ) -
Compare RFQ